Fe含量越小，電阻率越大。因此，在本發(fā)明中，將Fe含量的下限設(shè)定為45原子％，以便在實現(xiàn)增加的電阻率的同時保持0.5T以上的飽和磁通密度。

此外，可以看出，即使具有高的Fe含量，Hf含量小于5原子％或O含量小于10原子％也導(dǎo)致相當(dāng)?shù)偷碾娮杪省１?所示的組成為Fe46.2Hf18.2O35.6的合金在熱處理之前的電阻率值為194000μΩ.cm。這表明可以從這種合金獲得約2.0×105μΩ.cm的電阻率。

在改變外部磁場頻率的情況下進行磁導(dǎo)率（μeff）的測量。所測量的樣品是具有Fe54.9 Hf11 O34.1組成的合金膜，鋁硅鐵合金膜和Co基非晶帶，將它們在旋轉(zhuǎn)磁場中在400℃的溫度下進行熱處理6小時。測量結(jié)果示于圖2中。 7.在圖。在圖7中，用實線表示Fe54.9Hf11O34.1合金膜，用虛線表示硅鐵合金膜，用點劃線表示Co基非晶質(zhì)薄帶。

在鐵硅鋁硅酸鹽薄膜和Co基非晶帶中，頻率越高，磁導(dǎo)率越低。相反，在本實施方式的軟磁性合金中，F(xiàn)e 54.9 Hf 11 O 34.1的組成為高即使在高頻范圍內(nèi)也能保持導(dǎo)磁率，因此提供了用于高頻范圍的良好的磁性材料。