Fe--Sm--O合金膜和Fe--Ho--O合金膜檢查了它們的電阻率對Fe含量。

測定在400℃的溫度下進行了退火的這些合金膜的電阻。測量結果示于圖2中。 3.在圖。在圖3中，F(xiàn)e-Sm-O合金膜用（-。小圓圈-。小圓圈-）表示，F(xiàn)e-Ho-O型合金膜用（-。實心-。）表示。圓圈-。）。對于兩種合金膜，隨著Fe含量的減少，電阻率均增加。

在旋轉磁場中于400℃的溫度下對具有Fed Hfe Of組成的合金膜進行退火6小時，以檢查其飽和磁通密度和電阻率對Hf含量。在所檢查的Fed Hfe的合金膜中，Hf含量變化，F(xiàn)e含量保持在45.6原子％以上，O含量在33.5至36.9原子％的范圍內。測量結果示于圖2和3中。 4和5。

Hf含量的增加導致飽和磁通密度的減少。

另外，通過增加Hf含量，電阻率增加。此外，在熱處理之前，檢查了具有Fed Hfe Of組成的這些合金膜的飽和磁通密度和不同組成比下的電阻率。測量結果示于圖2中。 6.在圖。在圖6中，指示組成比的點（。）上方的值是電阻率（μΩ.cm），下面給出的值是飽和磁通密度（T）。

展示出了在磁場中經過熱處理的軟磁合金的矯頑力和磁導率，以及飽和磁通密度和比電阻。